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FIB,SEM,TEM, X-ray CT的对比
发布:qiushi         阅读:41         日期:2025-03-29 14:18:22
FIB,SEM,TEM, X-ray CT是什么?
FIB,聚焦离子束,采用Ga+撞击样品表面,进行刻蚀、沉积、成像,可切割芯片局部进行高精度分析。
SEM,扫描电子显微镜,通过电子束扫描样品表面,收集二次电子信号成像。
微信图片_20250329141907.png
TEM,透射电子显微镜,电子束透过超薄样品(厚度<100nm),观察内部结构。
X-ray CT,X射线计算机断层扫描,利用X射线穿透样品,收集不同角度的数据并进行3D重建。
微信图片_20250329141929.jpg
FIB,SEM,TEM, X-ray CT对比?

设备
优点
缺点
FIB
1.  具备切割+成像能力,可进行局部剖面分析
1.  破坏性,刻蚀区域不可恢复
2. 可精确修改芯片
2.  分辨率不如 SEM / TEM 高
3. 可沉积金属或氧化物进行导电修复
3.  仅适用于小面积局部分析
SEM
1.  成像速度快,操作简单
1.  无法观察内部结构
2. 可观察表面形貌、颗粒污染
2.  无法进行切割或修改
3. 样品制备要求较低

TEM
1.  分辨率最高,可达到原子级别
1.  样品制备困难,需FIB 预处理
2. 可观察晶体结构、界面应力
2.  观察范围有限,只能分析超薄区域
X-ray CT
1.  无损检测,可用于BGA焊点、TSV结构分析
1.  分辨率较低,无法观察纳米级结构
2. 适合大样品整体结构观察
2.  仅适用于X射线能穿透的样品
3. 可实现3D重建


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