双束聚焦离子束(Dual beam FIB)

一、项目介绍：

　　FIB主要通过创新的elstar电子枪与高电流UC +技术相结合，实现极高分辨率成像 最高的材料与卓越的Phoenix离子枪形成对比，即使在最具挑战性的样品上，也能实现最快，最简单，最精确的高质量样品制备和3D表征。具有以下主要特点：

　　最快，最简单的HR-TEM和APT样品制备

　　极高分辨率成像，具有最精确的对比度

　　访问最高分辨率，多尺度和多模态地下和3D信息

　　快速，准确，精确刻蚀和沉积复杂结构，临界尺寸小于10 nm

二、设备技术参数

                                      E-Beam电子束分辨率

2kV时0.6nm

1kV时为0.7nm

0.5kV时1.0nm

加速电压350V-30keV

着陆电压范围20eV-30keV

电子束电流范围0.8Pa-100nA

I-Beam离子束分辨率

30kV下4.0nm

30kV下2.5nm

电压500V-30KV

束流0.1pA-65nA

　　三、应用领域

　　先进制程7nm TEM薄片制备：对于最新制程的FinFET工艺分析能力、平面TEM+截面TEM分析能力；

　　定点截面3D切片分析：纳米级别定位分析能力、3维重构；

　　集成电路（IC）线路修改：高阶制程芯片线路修改、测试Pad；

　　复杂的纳米级图形制作：离子束直接刻蚀、电子束直接沉积；